靜電，靜電放電以多種不同方式影響電子組件。較大的靜態(tài)電壓會(huì)進(jìn)入設(shè)備并損壞復(fù)雜的內(nèi)部電路。

靜電的影響變得更加明顯，因?yàn)镸OS技術(shù)的所有形式的高輸入阻抗都意味著不會(huì)消散電壓，而且極高的電壓很容易損壞導(dǎo)體和絕緣屏障的小尺寸。

隨著集成電路特征尺寸的減小，這意味著設(shè)備變得更容易受到靜電損壞。

ESD敏感度在查看ESD對(duì)電子設(shè)備的影響時(shí)，值得一看的是設(shè)備本身，以及它們?nèi)绾问艿紼SD的影響。

發(fā)現(xiàn)某些電子設(shè)備比其他電子設(shè)備對(duì)ESD更敏感。但是，從問(wèn)題的角度來(lái)看，值得將靜態(tài)電平與電源電壓相關(guān)聯(lián)。人們不會(huì)考慮向邏輯器件施加甚至五十伏的電壓。在沒(méi)有任何ESD保護(hù)措施的情況下，通過(guò)處理它們，可以向它們施加幾千伏的靜態(tài)電壓。

對(duì)ESD最敏感的設(shè)備通常是那些包括MOS-金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)備。這些設(shè)備具有很高的阻抗，不允許電荷以更受控的方式消散。但是，這并不意味著雙極器件不受損壞。

最低250V的靜態(tài)電壓可能會(huì)損壞標(biāo)準(zhǔn)CMOS芯片。其中包括74HC和74HCT邏輯系列，因?yàn)樗鼈兊碾娏飨妮^低，因此在許多使用“膠粘邏輯”的設(shè)計(jì)中被廣泛使用。但是，許多新的微處理器和LSI芯片使用的特征尺寸非常小，并且無(wú)法承受此類電壓，因此它們對(duì)ESD非常敏感。通過(guò)在5 V的電源電壓下運(yùn)行它們會(huì)破壞許多新設(shè)備，并且它們更容易受到ESD損壞。

邏輯設(shè)備并不是唯一需要采取防靜電措施的設(shè)備。用于射頻應(yīng)用的GaAsFET極易損壞，并可能被低至100V的靜態(tài)電壓破壞。ESD也會(huì)影響其他形式的分立FET。再次經(jīng)常用于許多RF應(yīng)用的MOSFET非常敏感。

甚至普通的雙極型晶體管也可能會(huì)被約500V的電勢(shì)損壞。對(duì)于較新的晶體管而言尤其如此，其可能具有更小的內(nèi)部幾何形狀以提供更高的工作頻率。這僅是很少的ESD敏感性水平的廣泛指示。但是，這表明所有半導(dǎo)體設(shè)備都應(yīng)被視為靜電敏感設(shè)備，即SSD。

如今，不僅半導(dǎo)體設(shè)備被視為SSD。在某些地區(qū)，甚至無(wú)源組件也開(kāi)始被視為對(duì)靜電敏感。隨著小型化的趨勢(shì)，單個(gè)電子元件正變得越來(lái)越小。這使它們對(duì)ESD損壞的影響更加敏感。

靜電放電機(jī)制靜電放電（ESD）的影響取決于大量變量。其中大多數(shù)很難量化。積聚的靜電水平會(huì)根據(jù)所涉及的材料，一天中的濕度甚至人的身材而有所不同。每個(gè)人都代表一個(gè)電容器，在其上保持電荷。一般人代表一個(gè)約300 pF的電容器，但是一個(gè)人與另一個(gè)人的電容會(huì)有很大差異。

放電發(fā)生的方式也不同。通常，電荷會(huì)很快消散：通常不到100納秒。在這段時(shí)間內(nèi)，峰值電流可能會(huì)上升到二十或三十安培。峰值電流和放電時(shí)間取決于多種因素。但是，如果使用金屬物體（例如鑷子或尖嘴鉗），則與通過(guò)手指放電相比，電流峰值更高，并且在更短的時(shí)間內(nèi)即可達(dá)到。這是因?yàn)榻饘贋榉烹娞峁┝说偷枚嗟碾娮杪窂健５?，無(wú)論采用哪種放電方式，都會(huì)消耗相同量的電荷。

IEC61000-4-2和其他模擬波形為了消除ESD并防止由此造成的損壞，有必要查看可能發(fā)生的不同情況并對(duì)其進(jìn)行表征。這些情況將表現(xiàn)出不同的電壓累積水平，不同的充電水平和不同的放電特性。當(dāng)前，有許多方法可以在制造環(huán)境中對(duì)集成電路的ESD性能進(jìn)行評(píng)級(jí)。三種常見(jiàn)方法包括：

HBM：   人體模型-該模型模擬被充電的人，然后通過(guò)裸露的手指通過(guò)被測(cè)電路對(duì)地面進(jìn)行放電。MM：   機(jī)器模型-此模型模擬帶電的制造機(jī)器，通過(guò)設(shè)備放電到地面。機(jī)器將具有導(dǎo)電表面，因此產(chǎn)生的電流水平可能更高，但時(shí)間更短。CDM：   帶電設(shè)備模型-這模擬集成電路被充電然后放電到接地的金屬表面。增益短，但可能會(huì)遇到高電流水平。這些方法在制造環(huán)境中測(cè)試IC時(shí)效果很好，但不適用于系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用。為此，包括手機(jī)，MP3播放器，數(shù)碼相機(jī)以及更多具有外部連接的電子產(chǎn)品需要能夠承受靜電放電。

IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)定義了電子設(shè)備應(yīng)承受的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件。它假定用戶不會(huì)采取任何預(yù)防措施來(lái)防止ESD損壞，并且它定義了設(shè)備應(yīng)承受的各種等級(jí)。

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