靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱為靜電）導(dǎo)致兩個關(guān)鍵問題：靜電過應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）。靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱為靜電）導(dǎo)致兩個關(guān)鍵問題：靜電過應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）。靜電可以定義為累積在材料表面的固定電荷。靜電荷之間的相互作用（稱為靜電）導(dǎo)致兩個關(guān)鍵問題：靜電過應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）。
通常，ESD會導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)中超過三分之一的現(xiàn)場故障。ESD引起的半導(dǎo)體故障可以通過泄漏，短路，燒毀，接觸損壞，柵極氧化物破裂以及電阻器-金屬界面損壞的形式看到。CMOS縮放可降低功耗并提高速度，但是較小的尺寸會增加由于EOS / ESD條件而導(dǎo)致薄柵極氧化物損壞的敏感性。
半導(dǎo)體芯片尺寸的縮小，柵極氧化物的稀薄，多個電源，芯片的復(fù)雜性以及高速電路的運行，都對ESD敏感度做出了重要貢獻(xiàn)?？s小柵氧化層的厚度需要較少的電壓來損壞。
預(yù)測ESD非常繁瑣，因為ESD現(xiàn)象同時發(fā)生在微觀和宏觀的物理水平上。ESD保護設(shè)計是IC設(shè)計人員面臨的主要挑戰(zhàn)。隨著深亞微米級技術(shù)的進(jìn)步并達(dá)到更高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，需要先進(jìn)的預(yù)測性和魯棒性模型以及增強的CAD流程設(shè)計驗證來應(yīng)對ESD。
當(dāng)生產(chǎn)環(huán)境中的人員，機械臂和其他設(shè)備搬運設(shè)備時，會發(fā)生ESD損壞。它還來自包裝本身的電荷存儲。ESD是EOS的子集?？梢酝ㄟ^兩種方法減少由于ESD引起的IC故障：
•在IC的制造，運輸和使用過程中，確保人員和設(shè)備的正確搬運和接地。
•在封裝IC的引腳上添加保護電路，以在ESD應(yīng)力事件期間將高電流從內(nèi)部電路轉(zhuǎn)移出去并鉗位高電壓。
ESD保護電路設(shè)計為響應(yīng)ESD事件而導(dǎo)通，將焊盤上的電壓鉗位。
現(xiàn)場返回設(shè)備的故障分析可以通過揭示故障機制來協(xié)助設(shè)計和開發(fā)過程。芯片制造商遵循行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以使其產(chǎn)品具有ESD資格。但是，他們無法控制客戶的操作，因此需要有效的片上電路保護和測試。
電荷產(chǎn)生過程主要有三個：摩擦帶電（接觸和分離機制），感應(yīng)和傳導(dǎo)。
由于不同材料之間的摩擦，材料表面上e–的電荷不平衡稱為摩擦帶電。產(chǎn)生的電荷的極性和強度取決于材料的摩擦電性能，表面粗糙度，施加的壓力，溫度，應(yīng)變和其他因素。
圖1顯示了來自兩個不同的負(fù)電對象X和Y的電荷轉(zhuǎn)移。讓我們假設(shè)當(dāng)對象之間發(fā)生接觸（摩擦）時，對象X損失e–，對象Y獲得e–。因此，與對象Y相比，對象X將帶正電。這種現(xiàn)象稱為摩擦電。
當(dāng)人在地板上行走時，地板和鞋底之間的接觸和分離會產(chǎn)生靜電。在地毯上行走的人可能會積累數(shù)千伏的電荷，足以產(chǎn)生火花。通過向地面放電可以恢復(fù)電荷平衡。放電非?？?，約為納秒。通常，人們需要約3 kV的電壓才能通過靜電放電感到電擊。ESD事件通常會輕度震撼人們。但是，如果將相同數(shù)量的ESD應(yīng)力注入設(shè)備，則可能是有害的。
通過增加絕緣材料保持電荷的能力，環(huán)境空氣中的低相對濕度會增加發(fā)生放電的電壓。通過降低空氣的電導(dǎo)率，電荷積累也很難逐漸消散。由于駕駛員的衣服與車輛內(nèi)部的皮革或塑料內(nèi)飾之間的摩擦，汽車行駛會導(dǎo)致駕駛員和乘客積聚電荷。所存儲的電荷在與金屬車身接觸時會散發(fā)出火花。
當(dāng)IC在運輸管中滑動時，由于管與IC引線之間的摩擦?xí)a(chǎn)生靜電，因此也會產(chǎn)生摩擦帶電。正常情況下，一個人會產(chǎn)生大量靜電。下表根據(jù)材料的摩擦電特性從正到負(fù)對材料進(jìn)行分類。
干燥的空氣
膠木
玻璃
云母
人的頭發(fā)
尼龍
絲
羊毛
毛皮
鋁
紙
棉
滌綸
鐵氟龍
除了摩擦電，材料還可以通過感應(yīng)和傳導(dǎo)產(chǎn)生靜電荷。帶電的材料具有靜電場。當(dāng)任何導(dǎo)電材料進(jìn)入靜電場時，由于感應(yīng)會發(fā)生內(nèi)部電荷分布。圖2示出了何時使不帶電的物體B靠近帶電的物體A，并且B獲得分布的電荷。近端帶負(fù)電荷，而遠(yuǎn)端帶正電荷。ESD充電設(shè)備模型（CDM）基于靜電感應(yīng)。
當(dāng)兩個不同電位的帶電體相互接觸時，電荷從較高電位的體流向較低電位的體，直到它們都具有相同的電位。這種機制稱為傳導(dǎo)。
概括地說，材料可在ESD處理類別被分類，例如絕緣體（ρ> 10 12 Ω/平方），慢速充電耗散防靜電（10 9 <ρ> 10 12 Ω/平方），電荷耗散防靜電（10 6 <ρ> 10 9 Ω/□），和導(dǎo)電性（ρ<10 6 Ω/平方）。防靜電材料可防止摩擦，因此防靜電和耗散材料可用于限制制造和組裝環(huán)境中的電荷積累。
EOS是一個術(shù)語，用于描述當(dāng)IC承受超過器件數(shù)據(jù)手冊規(guī)格限制的電流或電壓時可能發(fā)生的熱損壞。EOS事件可能會使IC降級或?qū)е掠谰眯怨δ芄收?。EOS比ESD慢得多，但是相關(guān)能量很高。
熱損壞是EOS事件期間產(chǎn)生的過多熱量的結(jié)果。EOS事件中的高電流會在低電阻路徑中產(chǎn)生局部高溫。高溫會損壞器件材料，例如柵極氧化物和互連，導(dǎo)致金屬燒壞。由于EOS和ESD故障模式的相似性，EOS和ESD通常歸類為單項故障機制，即“ ESD和EOS”。
關(guān)于應(yīng)力事件，ESD和EOS相似，但電流或電壓以及時間應(yīng)力條件不同。ESD是一個非常高的電壓（> 500 V）和中等的峰值電流（?1 A至10 A）事件，在短時間內(nèi)發(fā)生。EOS是發(fā)生在較長時間范圍內(nèi)的低電壓（<100 V）和大峰值電流（> 10 A）事件。如果長時間持續(xù)，閂鎖也會導(dǎo)致EOS損壞。
靜電放電
ESD是兩個物體之間通過直接接觸或感應(yīng)電場以不同的靜電勢瞬時釋放靜電荷的過程。這是帶靜電的物體的結(jié)果。通過IC釋放靜電荷會產(chǎn)生大電流并耗散能量，從而損壞IC。任何材料表面的電荷通常是中性的。當(dāng)能量傳遞給它時，會發(fā)生電荷不平衡。
由于導(dǎo)電表面中的高電子遷移率，導(dǎo)體不易通過摩擦來充電，因此會發(fā)生電荷復(fù)合并保留中性表面。另一方面，絕緣子可以容易地通過摩擦來充電。將能量傳遞給不導(dǎo)電的材料會導(dǎo)致大量的局部堆積電荷，直到它通過外部路徑放電為止。靜電的主要來源包括絕緣體，例如塑料表面，絕緣鞋，木質(zhì)材料和氣泡包裝。由于絕緣體中的電荷分布不均勻，這些源所產(chǎn)生的電壓電平可能會很高，達(dá)到總計千伏。
IC中的ESD損壞也可能來自熱現(xiàn)象。局部體積中會以非常快的速率產(chǎn)生大量熱量，而這太快了，無法去除。因此，IC會以金屬互連燒壞，多晶硅損壞，柵氧化層破裂或擊穿，接觸尖峰或結(jié)擊穿的形式損壞。
當(dāng)人們在合成地板上行走時，它們可以累積高達(dá)20 kV的電壓。在干燥的空氣中摩擦（摩擦）尼龍和聚酯可產(chǎn)生25 kV。當(dāng)人觸摸接地物體時，電荷會在很短的時間內(nèi)（1到100 ns）從人移動到物體。放電時間和電流取決于時間常數(shù)。
放電電流總計約為1 A至10A。從工廠到現(xiàn)場的任何地方都可能對電子設(shè)備造成靜電損壞。半導(dǎo)體器件設(shè)計用于ESD保護，可在短時間內(nèi)承受高電流。例如，如果某個設(shè)備符合ESD-HBM的規(guī)定，可以承受2kV的指定電壓，則該設(shè)備可以以1.3ns的上升時間和10ns的下降時間承載1.3A電流。但是，該同一設(shè)備在幾毫秒內(nèi)無法傳輸100 mA的電流。
如果設(shè)備暴露于弱ESD脈沖中并受到部分損壞，則它可能會繼續(xù)發(fā)揮足夠的作用，并通過符合數(shù)據(jù)表規(guī)格的生產(chǎn)自動化測試設(shè)備（ATE）測試。然后，該缺陷可能會隨著時間的流逝而擴展，并且?guī)讉€小時后設(shè)備就會發(fā)生故障。這些類型的缺陷稱為潛在缺陷，而故障稱為潛在的ESD故障。潛在缺陷很難檢測到，尤其是在將設(shè)備組裝成最終產(chǎn)品之后。
官方分享 （新塵電子）→〈了解半導(dǎo)體設(shè)備中的ESD和EOS故障〉
本文地址：http://m.dcapepllc.com/news/mstui/978.html
文章均由 （新塵電子） 公司整理發(fā)布，文章資料僅供參考，轉(zhuǎn)載請標(biāo)明出處。謝謝！
掃一掃 聯(lián)系我們